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TC58BVG0S3HTA00中文资料

TC58BVG0S3HTA00图片

TC58BVG0S3HTA00外观图

  • 大小:1400.61KB
  • 厂家:
  • 描述:TC58BVG0S3HTA00 2019-10-01C 1 ? 2012-2019 KIOXIA Corporation MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 1 GBIT (128M ? 8 BIT) CMOS NAND E 2 PROM DESCRIPTION The TC58BVG0S3HTA00 is a single 3.3V 1Gbit (1,107,296,256 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E 2 PROM) organized as (2048 ? 64) bytes ? 64 pages ? 1024 blocks. The device has a 2112-byte static register which allows program and read data to be transferred between the register and the memory cell array in 2112-bytes increments. The Erase operation is implemented in a single block unit (128 Kbytes ? 4 Kbytes: 2112 bytes ? 64 pages). The TC58BVG0S3HTA00 is a serial-type memory device which utilizes the I/O pins for both address and data input/output as well as for command inputs. The Erase and Program operations are automatically executed, making the device most suitable for applications such as solid-state file storage, voice recording, image file memory for still cameras a
  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:Benand?
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:25ns
  • 访问时间:25 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP I

TC58BVG0S3HTA00供应商

更新时间:2023-01-08 02:52:06
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